作者：蒋超; 侯钧; 闫磊gan宽带功率放大器
摘要：基于第三代半导体材料的GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）,运用传输线变压器（TLT,Transmission Line Transformer）宽带匹配技术,研制了工作于VHF/UHF频段的功率放大器。采用推挽的结构,运用TLT进行输入输出网络匹配,成功设计了一个工作于100-1000MHz,Gain≥9.28 dB,Gain flatness≤±2.65 d B,PAE≥40.3%,Pout≥100W的GaN宽带功率放大器。适用于干扰、宽带通讯等对带宽、功率要求较高的系统中。
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