热氧化法制备ZnO纳米针的微结构与场发射性质研究

作者：余雯; 刘日利; 潘春旭纳米材料zno发射性质热氧化法微结构宽禁带半导体材料制备激子结合能

摘要：ZnO是一种重要的宽禁带半导体材料，室温下带隙宽3.37eV，激子结合能高达60meV，在短波激光器、太阳能电池、压电材料、发光照明材料等方面具有广泛的应用前景。一维ZnO纳米材料具有高的长径比、良好的物理化学等性能，其合成备受关注。

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