作者：Christophe; BASSO零电压开关mosfet导通损耗输入电容效率下降芯片尺寸开关频率工程师
摘要：设计电源时,工程师常常会关注与MOSFET导通损耗有关的效率下降问题.在出现较大RMS电流的情况下,比如转换器在非连续导电模式(DCM)下工作时,若选择Rds(on)较小的MOSFET,芯片尺寸就会较大,从而输入电容也较大.也就是说,导通损耗的减小将会造成较大的输入电容和控制器较大的功耗.当开关频率提高时,问题将变得更为棘手.
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