2010年半导体技术展望

作者：大久保聪半导体cmos技术制作工艺晶体管开启电压漏电流

摘要：从现在开始,预见到2010年,CMOS工艺将迅速发展.随着工艺微细化的发展,CMOS管的集成度和性能将不断提高.目前,是CMOS技术发展的鼎盛时期.但只是不断地微细化,将很难提高晶体管的性能.因为不降低MOS管的开启电压,就无法提高其工作速度;同时,漏电流的增加,使管子本身消耗的功率增加.

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