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科技进步:中国首次量产64层3D NAND闪存芯片

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摘要:3D NAND闪存是一种新兴的闪存类型,通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。平面结构的NAND闪存已接近其实际扩展极限,给半导体存储器行业带来严峻挑战。新的3D NAND技术,垂直堆叠了多层数据存储单元,具备卓越的精度。近日,紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布,开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。产品将应用于固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用。这是中国首次实现64层3D NAND闪存芯片的量产,将大幅拉近中国与全球一线存储厂商间的技术差距。

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电子世界

《电子世界》(CN:11-2086/TN)是一本有较高学术价值的大型半月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《电子世界》全方位推崇E时代大众电子科学意识,传播电子与信息领域的新知识、新技术,发表最新科研成果和展示技术进展状况,始终注重扶持学术新人,尤其关注广大青年科技工作者,优先发表理工科青年教师和研究生中的优秀学术稿件。

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