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一款抗辐射SRAM的后端物理设计

作者:孟少鹏物理设计抗辐射sram冗余技术时间交织半导体工艺特征尺寸辐射效应

摘要:随着半导体工艺的进步和器件的特征尺寸缩短,单粒子多位翻转事件和单粒子瞬态辐射效应事件显著增长,传统多模冗余技术无法满足加固要求。对一款抗辐射存储器进行后端物理设计,在布局和时钟树设计阶段实现了空间交织冗余和时间交织冗余的加固手段,最后对物理设计结果进行了分析。

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电子世界

《电子世界》(CN:11-2086/TN)是一本有较高学术价值的大型半月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《电子世界》全方位推崇E时代大众电子科学意识,传播电子与信息领域的新知识、新技术,发表最新科研成果和展示技术进展状况,始终注重扶持学术新人,尤其关注广大青年科技工作者,优先发表理工科青年教师和研究生中的优秀学术稿件。

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