作者:李瑛gan纳米线生长结果光学性质pvt扫描电子显微镜量子限制效应库仑阻塞效应raman
摘要:GaN纳米材料以其特有的量子限制效应、库仑阻塞效应、以及高的比表面积和线内极好的单晶性能而日益受到重视。本文采用物理气相输运(PVT)法生长GaN纳米线,反应源采用金属Ga和NH3,具有设备简单、参数的可控性和重复性高,成本较低的优势。针对影响纳米线生长结果的主要因素:温度、衬底和催化剂作了系列研究,使用扫描电子显微镜(SEM)、光致发光(PL)谱和拉曼光谱(Raman)对样品进行分析表征。
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