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NAND FLASH测试设计及使用探讨

作者:杨超; 张金凤; 马成英nandflash坏块管理测试设计使用探讨

摘要:本文首先介绍了NAND FLASH的基本特征,指出了NAND FLASH和普通存储器在测试和使用中的异同,明确了NAND FLASH存储阵列中允许存在坏块的特征。针对NAND FLASH的特点进行了测试设计,实践证明取得了良好的效果;并对NAND FLASH在使用过程中的坏块管理进行了探讨,提出了两种坏块管理办法并进行了对比,对测试者和使用者具有借鉴意义。

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电子世界

《电子世界》(CN:11-2086/TN)是一本有较高学术价值的大型半月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《电子世界》全方位推崇E时代大众电子科学意识,传播电子与信息领域的新知识、新技术,发表最新科研成果和展示技术进展状况,始终注重扶持学术新人,尤其关注广大青年科技工作者,优先发表理工科青年教师和研究生中的优秀学术稿件。

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