作者：张书源; 钟世昌内匹配高效率谐波抑制功率放大器
摘要：采用了内匹配技术和谐波抑制技术,设计并实现了一款3.8 GHz~4.2 GHz的功率放大器设计。该放大器采用南京电子器件研究所自主研制的的GaN HEMT管芯芯片。通过优化设计该放大器在10%的相对带宽、漏源电压28 V、10%占空比的脉冲输入的工作条件下,实现了输出峰值功率Pout大于40W,漏极输出功率效率大于60%,充分显示了GaN功率器件宽带、高效和高功率的工作性能,具有广阔的工程应用前景。
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