作者：赵婷婷; 薛剑鸣; 王威; 郝凌云; 陈相均; ...半导体材料azo薄膜退火温度
摘要：以溶胶-凝胶法制备Al掺杂的ZnO(AZO)薄膜。为了提高薄膜的结晶性,在氩气气氛中将所制备的薄膜分别在400℃、500℃和550℃温度下退火处理,研究不同退火温度对薄膜样品形貌和性能的影响。结果表明,所制备的AZO薄膜为六角纤锌矿结构,有很明显的c轴择优取向;随着退火温度增加,薄膜的结晶性与电导率均先增加后减小,其在可见光区域的平均透过率约为85%。当退火温度为500℃时,制备的AZO薄膜性能最佳,其品质因素可以达到2051.04Ω^-1·cm^-1。
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