作者：舒文丽 吴云峰 孙长胜 吴华君 唐斌nandflash海量存储并行操作坏块管理ecc校验
摘要：针对存储系统中对存储容量和存储带宽的要求不断提高，设计了一款高性能的超大容量数据存储器。该存储器采用NANDHash作为存储介质，单板载有144片芯片，分为3组，每组48片，降低了单片的存储速度，实现了576Gbyte的海量存储。设计采用FPGA进行多片NANDFlash芯片并行读写来提高读写带宽，使得大容量高带宽的存储器得以实现。针对NANDHash存在坏块的缺点，提出了相应的管理方法，保证了数据的可靠性。
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