作者：邓婉玲 郑学仁 陈荣盛 吴为敬多晶硅薄膜晶体管表面势薄层电荷模型
摘要：本文利用薄层电荷理论，建立了一个基于表面势的、物理的多晶硅薄膜晶体管（Polysilicon Thin-Film Transistors，poly-Si TFTs）的电流模型．且该模型适用于电路仿真。推导了poly-Si TFTs表面势的近似解法，该求解法非迭代的计算大大地提高了计算效率，且精确度高并得到实验验证。基于物理的迁移率方程考虑了晶界势垒高度，和由于声子散射与表面粗糙散射引起的迁移率退化。基于Brews的薄层电荷模型和上述非迭代计算表面势，本电流模型同时考虑了漏致势垒降低（DIBL）效应、kink效应和沟道长度调制效应。对不同沟长的器件实验数据比较发现，提出的模型在很广的工作电压内与实验数据符合得非常好。同时本模型的所有方程都具有解析形式，电流方程光滑连续，适用于电路仿真器如SPICE。
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