作者：杨浩; 黄华; 郝明丽; 陈立强; 张海英微波单片集成电路低噪声放大器赝配高电子迁移率晶体管微带电路
摘要：利用0.25μm GaAs PHEMT工艺设计并制作了一种Ka波段低噪声放大器芯片.提出了适用于低噪声放大器的PHEMT器件特征.电路采用四级级联结构.利用微带电路实现输入、输出和级间匹配.通过对电路增益、噪声系数和驻波比等指标进行多目标优化,确定了器件参数.该放大器测试结果为：26.5-36 GHz频段内增益大于20 dB;多数测试点噪声系数小于3 dB,其中34 GHz频点噪声仅为1.94 dB;芯片面积2.88 mm×1 mm.
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
