作者：王伟; 孙建平; 徐丽娜; 顾宁高k栅电流量子模型mosfet
摘要：采用Schroedinger-Poisson方程自洽全量子求解法研究了MOS器件不同介质材料和栅结构栅电流，该模型对栅电流中的三维电流成分用行波统一地计算；对二维栅电流成分通过反型层势阱中准束缚态的隧穿率计算。模拟得出栅极电流与实验结果符合。研究结果表明，采用高愚栅介质材料、p-MOSFET或双栅结构对栅电流的减少有明显的作用，这一结果可望对器件性能作出预计并对其研制提供指导。
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