作者：刘福海; 鲁丽丽; 杨琦低噪放砷化镓源电感匹配负反馈噪声系数
摘要：本文研制了一款10～18GHz低噪声放大器芯片，该放大器采用90nmGaAs工艺。放大器采用三级共用电流单电源拓扑，第一级采用源电感匹配，在确保输入端口驻波比的同时使放大器噪声系数最小；第三级采用电阻负反馈拓扑，在保证增益平坦度、输出端口驻波比与输出功率的前提下，尽量降低LNA的噪声系数。在片测试表明，在+5V漏电压工作环境下，放大器静态电流为25mA，增益为24.5dB，增益平坦度为±1dB，噪声系数为1.1dB，1dB增益压缩点输出功率大于9dBm，包含射频GSG与直流偏置压点的芯片尺寸为1.4×0.8mm2。
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
