沟道效应场效应晶体管电子迁移率阈值电压系统级芯片会议录电路技术引线键合insulatorsige
摘要：<正> 本会议录收集了会上发表的72篇论文,内容涉及蓝宝石上硅 CMOS 有源像素传感器,全耗尽 SOI 器件用4管 Schmitt 触发器,系统级芯片设计 SOI MOS-FET 分析,SOI 浮体存储器,应变硅技术β比率电路技术,SOI 碳纳米管场效应晶体管,MOSFET,超薄应变SOI CMOS 短沟道效应和阈值电压控制,纳米级应变硅生长对绝缘体上 SiGe 电子迁移率的影响,未来微处理机 FinFET 技术。
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