量子阱光集成电路拐角效应能带结构mesfet分子束外延生长射频集成电路会议录绝缘体上硅热载流子
摘要：<正> 0810 半导体物理 0500295氮对 InyGal-yAsl-xNx-GaAs 量子阱能带结构和材料增益的影响=Effect of Nitrogen on the Band Structureand Material Gain of InyGal-yAsl-xNx-GaAs QuantumWells〔刊,英〕/J.M.Ulloa,J.L.Sanchez-Rojas//IEEEJournal of Selected Topics in Quantum Electronics.—2003,9(3).—716-722(E)
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
