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DHMS中掺杂Cu2+电子顺磁共振参量及局部结构

作者:李超英; 付金仙; 董明; 黄瑛; 毛杰健晶体场理论缺陷结构晶体dhms电子顺磁共振

摘要:d基于晶体场模型,利用3d9^离子斜方(C4v)伸长八面体对称EPR参量的高阶微扰公式,计算了(NH4)2Mg(S04)2·6H20:Cu2+的g因子gi。和超精细结构常数Aii。公式中晶场参量由重叠模型确定,计算中考虑了d轨道基态波函数的混合。研究结果表明,晶体(NH4)2Mg(S04)2·6H20中络离子[cu(H20)6]2+Cu2+-H20键长风约为0.1872nm,Ry约为0.2033mm,恐约为0.2292nm;中心金属离子基态波函数混合系数碲鼢别为0.995和0.0999。所得EPR参量理论计算与实验符合很好,并对上述结果进行了讨论。

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电子科技大学学报

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