作者：徐洁 李青 林慧 王洪空穴迁移率moo3缓冲层有机薄膜晶体管阈值电压
摘要：以并五苯（pentacene）作为有机薄膜晶体管（OTFTs）的载流子传输层，采用比常用金电极（Au）廉价的—吨作为源漏电板，在pentacene与Ag之间添加MoO3超薄层作为缓冲层，制备了具有较高场效应迁移率（μ）的晶体管器件．结果表明，器件在栅极电压VG为40V时，传输电流IDS超过了50μA，空穴迁移率达到O．26cm^2／Vs．同时，从器件的输出特性与物理机制分析了MoO3缓冲层在器件中的作用．
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
