作者：胡小方 段书凯 王丽丹 李传东模拟存储器交叉阵列电荷控制模型磁通量控制模型忆阻器
摘要：推导了忆阻器的电荷控制和磁通量控制数学模型，在该基础上研究了其电导状态连续可变的性质和记忆功能。提出了用脉冲控制忆阻器实现模拟信息存储的方案，通过理论分析、实验仿真验证了方案的有效性。结合交叉阵列结构，该方案有望实现大规模模拟存储阵列，推进人工神经网络和模拟式计算机的发展。
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