作者：魏望和; 邬劭轶; 高秀英; 颜微子晶体场理论电子顺磁共振自旋哈密顿重叠模型
摘要：根据晶体场理论，利用3d^9离子在四角对称（伸长八面体）中自旋哈密顿参量g因子的四阶微扰公式以及超精细结构常数A因子的三阶微拨公式，对掺Cu^2＋的LaSrAlO4晶体的自旋哈密顿参量作出了理论分析。其中的四角晶场参量Ds、D1由重叠模型和杂质中心的局部结构计算，A因子公式中的芯区极化常数k≈0．286。所得到的计算值与实验符合较好，并从理论上确定了A∥为负值。
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