作者：梁永生; 吴郁; 郑宏超; 李哲单粒子效应单粒子瞬态电荷共享抗辐射
摘要：针对NM0S场效应晶体管由重离子辐射诱导发生的单粒子多瞬态现象,参考65nm体硅CMOS的单粒子瞬态效应的试验数据,采用TCAD仿真手段,搭建了65nm体硅NM0S晶体管的TCAD模型,并进一步对无加固结构、保护环结构、保护漏结构以及保护环加保护漏结构的抗单粒子瞬态效应的机理和能力进行仿真分析。结果表明,HM0S器件的源结和保护环结构的抗单粒子多瞬态效应的效果更加明显。
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