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基于RST的SiGe/Si“或非”逻辑器件研究

作者:姜涛; 张鹤鸣; 戴显英; 舒斌; 胡辉勇; 王...rst异质结耗尽层实空间电荷转移

摘要:文中通过利用耗尽层阻断沟道的方法,讨论了一种基于RST结构原理实现"或非"逻辑功能的器件结构.

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电子科技

《电子科技》(CN:61-1291/TN)是一本有较高学术价值的大型月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《电子科技》主要刊登电子科学技术领域中的新发明、新技术、新设计、新工艺、新材料、新产品以及实用技术方面的技术论文、综述等稿件。

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