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一种低温漂高电源抑制比带隙基准源的设计

作者:青旭东; 钟黎; 王永禄; 秦少宏; 陈振中电压基准源低温漂高电源抑制比

摘要:在传统的电流模电压基准结构下,基于一阶补偿后的电压基准输出特性,设计了一个简单的高、低温补偿电路,在宽的温度范围内(-50~150℃),显著提高了电压基准的精度。同时,对电路进行简单的改进,输出电压获得了高的电源抑制比。对设计的电路采用TSMC 65 nm CMOS工艺模型进行仿真,在1.5 V的电源电压下,PSRR为-83.6 d B,温度系数为2.27 ppm/℃。

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电子技术应用

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