作者：王静; 张东升单晶硅电池效率高方阻金属栅线
摘要：扩散高方阻匹配密栅丝网印刷工艺是提升单晶硅太阳电池效率的主要方向之一,高方阻,即浅结扩散能够减少“死层”,密栅网版缩窄了金属栅线的间距以减少发射区电池横向移动的复合,同时,增加了副栅线总面积,提高填充因子FF,最终达到提升电池效率的目的,本文通过对比三种不同扩散工艺的方块电阻和ECV浓度。分析高方阻对太阳电池电性能参数的影响。结果表明：方阻为85Ω/的发射区电池转换效率提高了0.1%。
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