作者:江朝庆激光晶化能量密度多晶硅薄膜晶体管缺陷态器件仿真
摘要:本文利用准分子激光晶化技术制备了低温多晶硅薄膜晶体管,研究了不同激光晶化能量密度对多晶硅薄膜晶粒尺寸以及器件电学特性的影响。为了进一步阐释激光晶化能量密度对多晶硅薄膜晶体管特性产生影响的原因,通过二维器件仿真拟合了多晶硅薄膜晶体管特性并提取了缺陷态密度等参数。通过比较得到态密度随着能量密度变化规律,最终得到最优工艺条件。
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《电子技术与软件工程》(CN:10-1108/TP)是一本有较高学术价值的大型半月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。
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