作者：侯宝峰电位诱导衰减光伏组件多晶硅功率衰减
摘要：为解决目前多晶体硅太阳能电池组件在电站大规模应用中出现的PID现象,通过采用常规PECVD镀膜工艺多晶硅电池片和抗PID镀膜工艺多晶硅电池片,以及EVA和聚烯烃材料（PO）组合制备了4种组件,在高于IEC62804规定的实验条件下进行PID试验。研究分析了4种不同组件的PID实验前后性能的变化。结果表明,采用减反膜折射率2.16的抗PID电池片组件能够改善组件抗PID性能,但是效果不明显。采用聚烯烃材料（PO）代替EVA,可以明显改善组件的抗PID性能。同时采用减反膜折射率2.16的抗PID电池片和聚烯烃材料（PO）制备的组件抗PID性能效果最好,最大功率衰减为9.51%。PID实验对组件的电性能有影响,对外观结构没有影响。
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
