作者：宫丽华vip50工艺绝缘硅放大器芯片供电电压增益带宽积
摘要：VIP50工艺是美国国家半导体(NS)独家专有的全新绝缘硅(SOI)BiCMOS工艺技术,VIP50的晶体管都装设于SOI圆片之上,然后以沟道互相隔离.这种隔离设计可将寄生电容减至极少,并可大幅提高放大器的带宽/功率比.其工艺优点是可以确保放大器芯片能在0.9V～12V之间的供电电压范围内操作.
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《电子测试》（CN：11-3927/TN）是一本有较高学术价值的大型半月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《电子测试》如何为国际和国内市场提供有竞争力的产品、掌握先进的测试测量技术一直以来深受测试测量领域工程师和研究者的关注，而为他们搭建沟通行业信息的平台，开创学术交流的广阔空间则正是《电子测试》创刊以来的优秀使命。
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