闪存微控制器单元开发电子鳍氮氧化硅金属氧化株式会社
摘要：瑞萨电子株式会社近日宣布成功开发出分离闸金属氧化氮氧化硅（SG-MONOS）闪存单元，该单元采用鳍状晶体管，用于配有电路线宽为16nm至14nm，或更细的片上闪存微控制器（MCU）。
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