功率mosfet车用通态电阻漏极电流n沟道大电流可满足封装
摘要:英飞凌科技面向大电流应用的汽车推出一款具备全球最低通态电阻的30V功率MOSFETN沟道器件Opti MOS-T2,在IOV栅源电压条件下,漏极电流为180A,而通态电阻仅为0.9毫欧。采用D2PAK.7封装的IPB180N03S4L—H0,可满足客户对标准封装功率MOSFET的需求:
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《电子产品世界》(CN:11-3374/TN)是一本有较高学术价值的大型月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。
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