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意法半导体第二代MDmesh高压功率MOSFET技术

功率mosfet意法半导体技术制造第二代高压新一代产品功率因数校正器半导体元器件阵列结构

摘要:意法半导体(ST Microelectronics)推出第一批采用该公司独有的MDmeshTM高压功率MOSFET第二代技术制造的半导体元器件。新产品特别适合开关电源(SMPS)、功率因数校正器(PFC)和电源适配器。与第一代Mdmesh产品相比,新一代产品的效率明显提升,在新的电源转换器设计中,能够大幅度降低成本,提高系统可靠性。ST的MDmesh(多重漏极网格)工艺的出色性能源自一种创新的漏极结构,漏极是由隔离物组成的阵列结构,纵向的P-型漏极条作为漏极体的延伸,沿很薄的水平n-型源极条排列。

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《电子产品世界》(CN:11-3374/TN)是一本有较高学术价值的大型月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。

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