试验设计在Y电容器设计中的运用

作者：冯诗银; 王朝阳; 罗史濂; 赵丽兴; 陈妙试验设计y电容器击穿电压因子箱线图方差分析回归分析

摘要：Y电容器的3个主要性能指标---电容量、损耗角正切和耐电压取决于介质材料芯片的设计,但击穿电压则更能考核Y电容器的耐电压特性。以Y电容器芯片为研究对象,运用Minitab软件试验设计响应曲面模型、试验数据和试验设计提供的"预测、重叠等值线图、响应优化器"等分析方法,对Y电容器芯片的设计进行了验证和优化,结果表明,通过试验设计方式,可以快速地为芯片选型设计找准影响因子、指明改进方向;同时还可节省设计时间和经费。

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