作者：李坤兰 王首臻 杨少华霍尔集成电路贮存试验性能参数
摘要：在A（寒温）、 B（亚湿热）、 C（亚湿热）、 D（热带海洋）4地的库房内对某型霍尔集成电路开展了为期17年的库房贮存试验，跟踪测试了该型霍尔集成电路的高电平－低电平磁感应强度（工作点） BH－L、低电平－高电平磁感应强度（释放点） BL－H和回差BH等性能参数，并应用T－检验法对4地贮存环境对样品的性能参数的影响进行了分析研究，结果表明各地贮存环境条件对样品的性能参数的影响各不相同。
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《电子产品可靠性与环境试验》（CN：44-1412/TN）是一本有较高学术价值的大型双月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《电子产品可靠性与环境试验》曾获广东省优秀科技期刊、《CAJ-CD规范》执行优秀奖、2001——2002年度信息产业部电子科技期刊“编辑质量奖”。读者主要有企业和技术人员。
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