作者：李树花 李斌多晶硅薄膜晶体管带间隧穿建模
摘要：介绍了多晶硅薄膜晶体管（P-Si TFTs）中的带间隧穿（BBT）效应的产生机理，分析了BBT对P—Si TFT电流特性的影响，总结了关于P-Si FTF带间隧穿效应的研究现状，并提出建立更为完善的BBT电流模型的建模思路。
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