作者：林晓玲; 费庆宇; 章晓文; 施明哲超大规模集成电路失效分析多层金属化反应离子腐蚀钝化层vlsi芯片应用内部结构工艺参数可探测性
摘要：介绍了多层金属化结构VLSI芯片的解剖技术——反应离子腐蚀去钝化层法，包括其原理、与其它芯片解剖技术的比较以及各种工艺参数对该技术的影响，并列举了几个实用例子。反应离子腐蚀法实现了芯片表面和内部结构的可观察性和可探测性，降低了失效分析时样品制备的风险，是VLSI失效分析过程的重要步骤。
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