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超薄栅氧化层中的软击穿的击穿机理和击穿模型

作者:韩静; 李斌超薄栅氧化层软击穿直接隧穿

摘要:软击穿是与氧化层质量密切相关的一种新的击穿形式.当氧化层厚度小于5 nm时,软击穿效应显著,是超薄栅氧化层的主要失效机理.通过对国外软击穿研究状况的分析,对超薄栅氧化层中软击穿的失效模型和机理进行了综述.

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电子产品可靠性与环境试验

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