作者：丁明芳; 刘静ulsi深亚微米soi技术硅片vlsi集成光学高集成度sdb硅膜实验方法
摘要：文中介绍了超薄膜SOI/SDB技术的发展历程及其主要的四种技术,其中SDB技术是今后SOI的主流技术.采用了电化学腐蚀自停止的实验方法,对SOI/SDB硅片进行减薄后,成功地获得了小于1μm的SOI/SDB工作硅膜.经实验分析,可知该超薄膜工作硅片具有高速、低功耗、高集成度、高可靠性等优良性能,该薄膜在亚微米VLSI、深亚微米ULSI和集成光学中得到广泛的应用.
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