作者:周志敏功率场效应晶体管mosfet开关特性栅极电荷
摘要:QFET芯片结构与传统MOSFET是不同的,主要表现在三个方面:
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《电源世界》是一本有较高学术价值的双月刊,自创刊以来,是一份面向电力工业和电力设备制造产业,技术与产经相结合,多种媒介形式立体出版,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度,颇受业界和广大读者的关注和好评。
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