续流二极管功率半导体开关电源正向压降mosfet高功率pfc电路感性负载功率损耗开关型
摘要:目前我们正努力去提高功率开关MOSFET,IGBT的性能——减小正向压降,减少关断能量,在开关型感性负载中,开通损耗在很大程度上取决于续流二极管的工作特性,现在开通损耗已经占据了整个功率损耗的绝大部分。在单个封装内串联二极管的技术可以优化给出的设计。本文就以PFC电路为例,介绍如何选择最优的二极管。
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