作者：宋琦材料化学无铅化计算机信息存贮器feram过渡金属氧化物挥发性组分钛酸钡薄膜
摘要：美国Wisconsin大学（Madison）K．J．Choi和C-B．Eom领导的材料化学小组在实现RAM器件材料无铅化方面，取得了突破性的进展。器件功能的实现通常以离子极化或铁电性为基础。现用材料为含铅或铋的过渡金属氧化物，这类材料的问题在于含有挥发性组分，同时铅的毒性也是问题之一。Choi等采用所谓“应力工程”的技术，通过改进钛酸钡薄膜铁电性的方法制成了新型RAM器件，即FeRAM．，解决了无铅化的问题。
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