作者：温兴毫; 李君君; 王东全; 任勇; 刘小刚; ...cfetr管内电缆导体摩擦系数多孔介质模型
摘要：目前管内电缆导体(CICC)压降的实验结果都是高空隙率(~35%)下测得的,而CFETR纵向场(Toroidal Field,TF)导体的设计偏向于较小的空隙率(~29%),压降实验数据方面的短缺,使得需要重新考虑目前Katheder关系式能否用于CFETR TF的压降估算。在CFETR TF导体的压降分析中,分别采用了修正的Katheder关系式和多孔介质模型对导体的压降进行比较,获得了更为保守的压降预测。
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