作者：马红霞; 索红莉; 王颖; 刘敏; 周美玲mgb2临界电流密度jc不可逆磁场hirt纳米掺杂
摘要：总结了不同掺杂物对MgB2超导电性能影响的研究现状，具体介绍了不同粒度、不同类型的掺杂物对MgB2超导电性的影响。目前的研究结果表明：所有掺杂都降低了MgB2的临界转变温度，而除Cu外的大部分掺杂物都可改善MgB2的不可逆磁场以，提高其临界电流密度上；在所有掺杂物中，纳米级SiC掺杂对MgB2的超导电性能改进最大。基于目前的研究现状和结果，最后文中对MgB2超导材料的应用前景进行了展望。
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