作者：马新宇; 陈茜; 廖杨芳; 肖清泉; 陈庆; 姚...磁控溅射原位退火mg2si薄膜退火温度方块电阻
摘要：采用磁控溅射法和原位退火工艺在钠钙玻璃衬底上制备Mg2Si半导体薄膜.首先在钠钙玻璃衬底上依次溅射一定厚度的Si、Mg薄膜,冷却至室温后原位退火4h,在400600℃退火温度下制备出一系列Mg2Si薄膜样品.采用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）对Mg2Si薄膜样品的晶体结构和表面形貌进行表征,利用四探针测试仪测试薄膜样品的方块电阻,讨论了原位退火温度对Mg2Si薄膜结构、表面形貌及电学性能的影响.结果表明,采用原位退火方式成功在钠钙玻璃衬底上制备出单一相的Mg2Si薄膜,退火温度为550℃时,结晶度最好,连续性和致密性最强,方块电阻最小.这对后续Mg2Si薄膜器件的设计与制备提供了重要的参考.
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