作者：路昕; 阎少林; 赵新杰; 方兰; 何明; 左涛...铊系高温超导薄膜tl2ba2cacu2o8缓冲层超导薄膜mgo衬底制作临界电流密度后处理方法x射线衍射磁控溅射
摘要：在MgO衬底上,利用共蒸发方法制备DyBa2Cu3O7作为缓冲层,再利用磁控溅射和后处理方法,制备了Tl2Ba2CaCu2O8超导薄膜.X射线衍射θ～2θ及φ扫描结果表明Tl-2212薄膜、Dy-123薄膜与衬底MgO呈外延生长关系.制备的Tl-2212薄膜Tc＝105.5K,液氮温度下临界电流密度Jc＝2.5×106A/cm2.
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
