作者：尚超; 刘云龙; 王文成; 台流臣脉冲功率重频四倍压半导体电容
摘要：基于RSD单次运行,本文研究了其重复频率运行,设计了重频运行系统,针对系统中电容充电速度较慢的问题,首次提出用四倍压电路给电容充电,以提高系统的运行频率。仿真和实验结果均显示,四倍压电路实现了电容快速充电,可在150μs内将3μF电容充电至2.0kV。基于四倍压电路充电,系统运行频率可达500Hz,放电电流达2.2k A（脉宽为9μs）,di/dt为497.2A/μs,且器件工作稳定。
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
