儒卓力提供高效率的英飞凌OptiMOS功率MOSFET

功率mosfet英飞凌散热性能工程成本功率密度导通电阻反向恢复缓冲电路

摘要：英飞凌OptiMOS 3和5同类最佳(BiC)功率MOSFET采用节省空间的SuperSO8封装,与先前型号相比,具有更高的功率密度和稳健性,从而降低系统成本和提升整体性能。由于具有最低的导通电阻(RDS(on)),这些BiCMOSFET能够以良好的性价比降低损耗。此外,通管壳(Junction to Case (RthJC))的较低热阻提供了出色的散热性能,从而带来更低的满载运作温度。较低的反向恢复电荷(Qrr)通过显着减小电压过冲来提高系统可靠性,从而最大限度地减少对缓冲电路的需求,同时也减少了工程成本和工作量。

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