作者：唐祯安; 丁海涛; 黄正兴; 许自强; 李新分子动力学模拟比热容二氧化硅薄膜sio2薄膜微尺度效应热容测定纳米量级相互作用势能函数物理模型变化规律计算结果依赖关系薄膜厚度温度升高模拟结果体材料分子间实验值分析基微器件半导体
摘要：针对纳米量级薄膜比热容测定的困难,根据实验值建立了SiO2(100)薄膜物理模型. 选取可靠的势能函数描述了分子间的相互作用,采用分子动力学模拟了它的比热容变化规律,在100～600 K下给出了厚度在1～5 nm的薄膜比热容对温度和厚度的依赖关系. 计算结果表明,SiO2薄膜在300 K下比热容明显低于相同条件下常规体材料的比热容,且随薄膜厚度的增加而增大;随温度升高,比热容变大,这同体材料是一致的. 模拟结果揭示了SiO2薄膜比热容的微尺度效应,与理论分析基本吻合,可为半导体微器件的设计提供资料.
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