作者:许迪迪; 张小玲; 齐浩淳; 谢雪松金属氧化物半导体场效应晶体管热不稳定安全工作区
摘要:功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的热不稳定现象,限制了MOSFET的安全工作区。为得到符合实际的安全工作区,建立了一种分析模型,综合考虑了电流温度系数、热阻等因素,分析解释热不稳定产生条件,通过与实验数据的对比,证明了模型的正确性,得到了更符合实际的安全工作区。
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《电力电子技术》(CN:61-1124/TM)是一本有较高学术价值的大型月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《电力电子技术》获全国优秀科技期刊;获机械工业部科技期刊一等奖;获陕西省科技期刊一等奖。是我国唯一的部级电力电子刊物,也是电力电子学会的会刊,面向国内外公开发行。
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