作者：唐清; 李艳; 赵方玮; 郑琼林gan器件高频精确测量开关特性
摘要：对高频工况下氮化镓（GaN）器件的开关特性精确测量进行了研究，基于市面上两种不同类型的GaN器件，对其开关特性进行对比测试，分析高频工况下不同类型GaN器件的优势。首先，分析不同测量方式对电流测量波形的影响，选择适用于高频工况下的电流测量方式；其次，对高频驱动回路进行优化布局，减小寄生电感，使得开关特性测量结果更为精确；最后，基于双脉冲测试平台，分别对共源共栅（Cascode）型和单体增强（E-Mode）型两类GaN器件进行开关特性测试，明确各自特性优势和应用场合。
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