作者：王曦; 蒲红斌; 刘青; 陈治明光触发晶闸管碳化硅梯度掺杂
摘要：通过理论分析与数值仿真的方法对具有梯度掺杂短基区的10kV4H-SiC光触发晶闸管（LTT）进行了研究。短基区的施主杂质呈梯度分布，未耗尽时会在纵向产生感生电场，使短基区的少子输运从单一的扩散方式改善为扩散与漂移相结合的方式，促进短基区少子的纵向输运。仿真结果显示，梯度掺杂短基区具有更强的少子传输效率，相比于常规SiC LTT，具有梯度掺杂短基区的SiC LTT开通延迟时间缩短了36％。
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